Ученые НИТУ «МИСиС» изобрели самый тонкий в мире (толщиной в одну молекулу) полупроводник с заданными свойствами. Они успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора. Группа исследователей во главе с профессором Дмитрием Гольбергом работала совместно с коллегами из Национального института материаловедения (Япония), Пекинского транспортного университета (КНР) и Технологического университета Квинсленда (Австралия).
Результат исследования опубликован в научном журнале Advanced Materials.
Ученые с помощью суперкомпьютерного кластера Cherry, находящегося в НИТУ «МИСиС», выстроили теоретическую модель нового материала. Далее в ходе эксперимента удалось создать опытный образец, который полностью соответствовал модели.
Главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский подтвердил «Известиям», что открытие российских ученых имеет общемировое значение. Однако, по его словам, до промышленных образцов электроники еще далеко.
Как известно, полупроводники являются основой современной электроники. За миниатюризацию борются все лидеры этой отрасли. Открытие позволит, например, создать не микропроцессор, а нанопроцессор — в тысячи раз меньше существующих. По словам исследователей, он будет потреблять меньше энергии, что приведет к миниатюризации аккумуляторов и появлению массовой «незаметной» электроники — невесомых кардиостимуляторов, дешевых очков с дополненной реальностью, телефонов-сережек и других гаджетов, которые пока сделать либо дорого, либо вообще невозможно.